กำลังการผลิตที่ขยายตัวยังไม่ทันความต้องการ ราคา DRAM อาจพุ่งต่อเนื่องถึงปี 2028: บทวิเคราะห์จากการประชุมผู้เชี่ยวชาญด้านหน่วยความจำของ Goldman Sachs

Goldman Sachs จัดสัมมนาออนไลน์ผู้เชี่ยวชาญอุตสาหกรรมหน่วยความจำร่วมกับ TrendForce เมื่อวันที่ 27 ตุลาคม ผู้เชี่ยวชาญจาก TrendForce ระบุว่า ข้อจำกัดเชิงโครงสร้าง เช่น พื้นที่ห้องปลอดฝุ่นไม่เพียงพอและระยะเวลาส่งมอบอุปกรณ์ที่ยาวนาน จะทำให้อุปทาน DRAM ตึงตัวตลอดปี 2027 และวงจรขาขึ้นของราคาอาจยืดเยื้อไปถึงครึ่งแรกของปี 2028

นอกจากนี้ ความต้องการ AI ที่พุ่งสูงจะผลักดันตลาด HBM ให้ขยายตัวอย่างมาก โดยคาดว่าราคาเฉลี่ยในปี 2027 จะพุ่งขึ้น 122% ดันมูลค่าอุตสาหกรรมทะลุ 2 แสนล้านดอลลาร์สหรัฐ Goldman Sachs ยังคงคำแนะนำ "ซื้อ" สำหรับ Samsung Electronics และ SK Hynix

1. แนวโน้มราคา DRAM และ HBM: วงจรขาขึ้นมองไปถึงครึ่งแรกของปี 2028

DRAM ยังคงขาดแคลน: แม้ความต้องการจากฝั่งผู้บริโภคจะอ่อนแอ แต่ความต้องการเซิร์ฟเวอร์ที่แข็งแกร่งและข้อจำกัดด้านอุปทานที่เพิ่มขึ้นช่วยหักล้างกัน ส่งผลให้ราคาเฉลี่ย DRAM ปรับตัวสูงขึ้นอย่างต่อเนื่อง แม้สัญญาระยะยาว (LTA) จะครอบคลุม 60%–70% แต่ความต้องการส่วนเกินจากโควตาสัญญายังสามารถซื้อขายได้ในราคาที่สูงขึ้น จากข้อมูลนี้ TrendForce คาดว่าวงจรการขึ้นราคา DRAM จะยืดไปถึงครึ่งแรกของปี 2028

ราคาเฉลี่ยและขนาดตลาด HBM พุ่งกระฉูด: คาดว่าราคาเฉลี่ยรวมของ HBM ในปี 2027 จะเพิ่มขึ้น 122% เมื่อเทียบปีก่อน แตะ 3.7 ดอลลาร์สหรัฐต่อกิกะไบต์ ผลักดันรายได้อุตสาหกรรม HBM โดยรวมให้เติบโตกว่า 230% ทะลุ 2 แสนล้านดอลลาร์สหรัฐ Goldman Sachs เสริมว่า การคาดการณ์นี้สอดคล้องกับมุมมองของธนาคารที่คาดว่าราคาเฉลี่ย HBM ของซัพพลายเออร์รายใหญ่ในปีหน้าจะเพิ่มขึ้น 100%–160% เมื่อเทียบปีก่อน

การแบ่งกลุ่มผลิตภัณฑ์ชัดเจน:

HBM4 ระดับไฮเอนด์: คาดว่าราคาจะสูงกว่า 5 ดอลลาร์สหรัฐต่อกิกะไบต์ ส่วนรุ่นล่างจะอยู่ที่ประมาณ 3 ดอลลาร์สหรัฐต่อกิกะไบต์ เนื่องจากต้นทุนไดพื้นฐานต่อหน่วยความจุของ HBM4 แบบ 8 ชั้นสูงกว่า จึงคาดว่าจะมีราคาแพงกว่ารุ่น 12 ชั้น 5%–10%

HBM4E: คาดว่าราคาจะสูงกว่า HBM4 อย่างมีนัยสำคัญ TrendForce คาดว่า HBM4 จะคิดเป็นเกือบ 60% ของรายได้อุตสาหกรรม HBM ในปี 2027

อุปสงค์ข้ามรุ่นหนุนตลาด: เมื่อสัดส่วนการใช้งาน TPU ในศูนย์ข้อมูลของ Google เพิ่มขึ้น ความต้องการ HBM3E ที่แข็งแกร่งของ Google จะเป็นแรงขับเคลื่อนสำคัญ ทำให้ความต้องการ HBM กระจายตัวข้ามรุ่น แทนที่จะกระจุกตัวเฉพาะ HBM4/HBM4E

2. ข้อจำกัดเชิงโครงสร้างด้านอุปทาน: ยากเห็นกำลังการผลิตที่มีประสิทธิภาพก่อนปี 2028

การขยายกำลังการผลิตเผชิญข้อจำกัดสองด้าน: การขาดแคลนพื้นที่ห้องปลอดฝุ่นและระยะเวลาส่งมอบอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ที่ยาวนาน เป็นสาเหตุหลักที่ขัดขวางการปล่อยกำลังการผลิตที่มีประสิทธิภาพอย่างรวดเร็ว คาดว่าอุปทานอุปกรณ์จะค่อย ๆ ดีขึ้นในช่วงครึ่งหลังของปี 2027 และการมีส่วนร่วมอย่างเป็นรูปธรรมของโรงงานผลิตแห่งใหม่ต่ออุปทานตลาดจะเห็นได้เร็วที่สุดในปี 2028

การขยายกำลังการผลิต DRAM แบบดั้งเดิมถูกบีบ: คาดว่าผู้ผลิตรายใหญ่ของเกาหลีแต่ละรายจะเพิ่มกำลังการผลิตเวเฟอร์ได้ 80,000 ถึง 100,000 แผ่นต่อเดือน (WPM) ในปี 2027 แต่ตัวอย่างเช่น Samsung Electronics กำลังการผลิตใหม่จะถูกจัดสรรให้ HBM เป็นลำดับแรก การเติบโตของบิต DRAM แบบดั้งเดิมจะอาศัยการย่อขนาดกระบวนการผลิตเป็นหลัก

3. คำแนะนำและราคาเป้าหมายล่าสุดจาก Goldman Sachs

Samsung Electronics: คงคำแนะนำ "ซื้อ" ราคาเป้าหมาย 12 เดือนสำหรับหุ้นสามัญอยู่ที่ 500,000 วอน และหุ้นบุริมสิทธิอยู่ที่ 380,000 วอน อิงจากวิธี sum-of-the-parts (SOTP) ของ EV/EBITDA ที่คาดการณ์ปี 2026–2027

SK Hynix: คงคำแนะนำ "ซื้อ" ราคาเป้าหมาย 12 เดือนอยู่ที่ 3,500,000 วอน อิงจากอัตราส่วนราคาต่อกำไร (P/E) เฉลี่ยปี 2026–2027 คิดเป็นทวีคูณเป้าหมาย 9.0 เท่า