Samsung และ SK Hynix อัปเกรดโรงงานในจีนเพื่อผลิตชิปขั้นสูงขึ้น
wallstreetcnตามรายงานของ Reuters ที่อ้างแหล่งข่าววงใน ยักษ์ใหญ่ชิปหน่วยความจำเกาหลีใต้ทั้งสองรายต่างเพิ่มการลงทุนในโรงงานผลิตในจีน เพื่อยกระดับเทคโนโลยีให้สูงขึ้น โดย Samsung ตั้งเป้าที่ความสามารถในการผลิตชิปแบบ 286 ชั้นจำนวนมาก ขณะที่ SK Hynix ก็กำลังเดินหน้าแผนอัปเกรดในทิศทางเดียวกัน
ในขณะเดียวกัน ผู้ผลิตชิปจีนอย่าง Yangtze Memory Technologies Co. (YMTC) ก็มีความก้าวหน้าทางเทคโนโลยีอย่างต่อเนื่อง ซึ่งยิ่งเพิ่มการแข่งขันในตลาดนี้
Samsung เล็งชิป 286 ชั้น SK Hynix เดินหน้าตาม
แหล่งข่าววงในเผยว่า Samsung กำลังอัปเกรดเทคโนโลยีในโรงงานจีนเพื่อผลิตชิป NAND แฟลชแบบ 286 ชั้น จำนวนชั้นนี้ถือเป็นระดับแนวหน้าของเทคโนโลยี NAND ในปัจจุบัน หากเกิดขึ้นจริงในโรงงานจีน จะถือเป็นการก้าวกระโดดทางเทคโนโลยีครั้งสำคัญของกำลังการผลิต Samsung ในจีน
Samsung มีฐานการผลิตชิปหน่วยความจำที่สำคัญในจีน หากแผนอัปเกรดนี้ดำเนินไปได้ด้วยดี โรงงานในจีนของ Samsung จะไม่จำกัดอยู่แค่กระบวนการผลิตแบบ成熟แล้ว แต่จะขยับเข้าใกล้สายผลิตภัณฑ์ขั้นสูงที่แข่งขันได้มากขึ้น
SK Hynix ก็ถูกระบุว่ากำลังอัปเกรดโรงงานผลิตในจีนเช่นกัน แหล่งข่าววงในเผยว่าทิศทางการอัปเกรดของบริษัทคล้ายกับ Samsung โดยมีเป้าหมายเพื่อยกระดับเทคโนโลยีชิปในโรงงานจีน
SK Hynix มีโรงงานผลิตชิป DRAM ในอู๋ซี ประเทศจีน และถือครองสินทรัพย์บางส่วนของโรงงาน NAND เดิมของ Intel ในต้าเหลียน
ในขณะเดียวกัน YMTC ผู้ผลิตชิปหน่วยความจำจีนก็มีความก้าวหน้าทางเทคโนโลยีใหม่ รายงานของ Reuters ระบุว่าการไล่ตามเทคโนโลยีของ YMTC ไม่ได้ชะลอลงอย่างมีนัยสำคัญจากแรงกดดันภายนอก และความก้าวหน้านี้จะยิ่งเพิ่มความเข้มข้นของการแข่งขันในตลาด NAND โลก
เนื้อหานี้จัดทำขึ้นโดยมีวัตถุประสงค์เพื่อแจ้งข้อมูลและให้ความรู้เท่านั้น และไม่ถือว่าเป็นคำแนะนำด้านการลงทุนที่เกี่ยวข้องกับ BTCC แต่อย่างใด BTCC ใช้ความพยายามอย่างเต็มที่ แต่ไม่สามารถรับประกันความจริงแท้ ความถูกต้อง หรือความเป็นต้นฉบับของเนื้อหาข้างต้นได้