Samsung и SK Hynix модернизируют заводы в Китае для выпуска более передовых чипов
wallstreetcnПо данным Reuters со ссылкой на осведомлённые источники, два южнокорейских гиганта по производству микросхем памяти увеличивают инвестиции в свои производственные мощности в Китае, продвигая переход на более высокие технические характеристики. В частности, Samsung нацелен на серийное производство чипов со 286-слойной структурой, а SK Hynix также реализует модернизацию в аналогичном направлении.
Тем временем китайский производитель чипов Yangtze Memory Technologies Co. (YMTC) продолжает добиваться технического прогресса, что ещё больше усиливает конкуренцию в этой сфере.
Samsung нацелен на 286-слойные чипы, SK Hynix следует за ним
По словам осведомлённых источников, Samsung продвигает модернизацию своих заводов в Китае с целью наладить производство 286-слойных чипов флеш-памяти NAND. Такое количество слоёв представляет собой передовой уровень современных технологий хранения NAND, и если оно будет реализовано на китайских заводах, это ознаменует значительный технологический скачок производственных мощностей Samsung в Китае.
Samsung располагает в Китае важными производственными базами по выпуску микросхем памяти. Если план модернизации будет успешно реализован, это означает, что её китайские заводы больше не будут ограничиваться зрелыми технологическими процессами, а приблизятся к более конкурентоспособным передовым линейкам продукции.
SK Hynix, как сообщается, также проводит модернизацию своих производственных мощностей в Китае. По словам осведомлённых источников, направление модернизации компании схоже с Samsung и нацелено на повышение технических характеристик чипов, выпускаемых на китайских заводах.
SK Hynix владеет заводом по производству чипов DRAM в Уси, Китай, а также частью активов бывшего завода NAND компании Intel в Даляне.
В то же время китайский производитель микросхем памяти YMTC также добивается нового технического прогресса. Согласно отчёту Reuters, темпы технологического развития YMTC не замедлились заметно под внешним давлением, и его прогресс ещё больше усилит интенсивность конкуренции на мировом рынке NAND.
Данный контент предназначен исключительно для информационных и образовательных целей и не является инвестиционным советом, связанным с BTCC. BTCC прилагает все усилия, но не может гарантировать правдивость, точность или оригинальность вышеприведенного контента.