ความก้าวหน้าเทคโนโลยี 4F² ของฉางซินจุดชนวนเทขายหุ้นหน่วยความจำต่างประเทศ มัสก์เตือนข้อได้เปรียบด้านการผลิตขนาดใหญ่ของจีน

หลังจากฉางซินสตอเรจประกาศความก้าวหน้าครั้งสำคัญในหน่วยความจำเซิร์ฟเวอร์ DDR5 ดัชนีฟิลาเดลเฟียเซมิคอนดักเตอร์ของตลาดหุ้นสหรัฐร่วงลง 2.7% ในชั่วข้ามคืน โดยหุ้นไมครอนและ ADR ของ SK Hynix ต่างปรับตัวลดลงอย่างหนัก อีลอน มัสก์แสดงความเห็นว่า เมื่อจีนเข้าใจวิธีการผลิตสินค้าชนิดใดชนิดหนึ่งแล้ว ความสามารถในการผลิตขนาดใหญ่ของจีนมักจะเกินกว่าผลรวมของส่วนอื่นๆ ในโลก และกล่าวว่า "จีนดูเหมือนกำลังเอาชนะ" มาตรฐานทั่วไปอย่าง LP5 และ LP6 อย่างรวดเร็ว

ความเห็นล่าสุดของมัสก์เกี่ยวกับความสามารถในการผลิตขนาดใหญ่ของจีนยิ่งเติมเชื้อไฟให้กับความวิตกกังวลด้านการแข่งขันที่เกิดขึ้นแล้วในอุตสาหกรรมชิป

ชั่วข้ามคืน ข่าวความก้าวหน้าทางเทคโนโลยีล่าสุดของฉางซินสตอเรจ ผู้ผลิตชิปหน่วยความจำจีน ส่งผลกระทบต่อหุ้นกลุ่มชิปของสหรัฐ โดยดัชนีฟิลาเดลเฟียเซมิคอนดักเตอร์ร่วงลง 2.7% ในวันจันทร์ สู่ระดับต่ำสุดในรอบสามสัปดาห์ หุ้นที่เกี่ยวข้องกับชิปหน่วยความจำ เช่น ไมครอน แซนดิสก์ และ ADR ของ SK Hynix นำตลาดปรับตัวลง ความกังวลของตลาดเกี่ยวกับผู้ผลิตจีนที่เร่งเข้าสู่ตลาดหน่วยความจำเซิร์ฟเวอร์ AI ที่มีอัตรากำไรสูงเพิ่มขึ้นอย่างชัดเจน

เมลวิน นักวิเคราะห์ AI แสดงความเห็นต่อแนวโน้มดังกล่าวว่า เขาไม่เข้าใจคลื่นการเทขายหุ้นหน่วยความจำนี้เลย โดยมองว่าตลาดตอบสนองเกินเหตุ และการเทขายครั้งนี้ไม่สมเหตุสมผล

ต่อมา มัสก์โพสต์ตอบกลับบนแพลตฟอร์มโซเชียล X ว่า เมื่อจีนเชี่ยวชาญวิธีการผลิตสินค้าชนิดใดชนิดหนึ่งแล้ว ความสามารถในการผลิตขนาดใหญ่ของจีนมักจะเกินกว่าผลรวมของส่วนอื่นๆ ในโลก โดยยกตัวอย่างแบตเตอรี่ลิเธียมและพลังงานแสงอาทิตย์ เขายังแสดงความกังวลอย่างชัดเจนเกี่ยวกับความเร็วในการไล่ตามของจีนในด้านชิปหน่วยความจำ โดยมองว่ามาตรฐานทั่วไปอย่าง LP5 และ LP6 "จีนดูเหมือนกำลังเอาชนะอย่างรวดเร็ว"

ความก้าวหน้าทางเทคโนโลยีของฉางซินสตอเรจจุดชนวนการเทขายในตลาด

ในช่วงสุดสัปดาห์ ดร. เฉา คานหยู ประธานของฉางซินสตอเรจ ประกาศในงานอุตสาหกรรมว่า บริษัทประสบความก้าวหน้าครั้งสำคัญในสถาปัตยกรรมเซลล์หน่วยความจำ 4F² รุ่นถัดไป และวางแผนที่จะเปิดตัวผลิตภัณฑ์หน่วยความจำเซิร์ฟเวอร์ DDR5 ที่ใช้สถาปัตยกรรมนี้ภายในสิ้นปี 2026

ข้อได้เปรียบหลักของสถาปัตยกรรม 4F² คือพื้นที่เซลล์หน่วยความจำที่เล็กลง ในสถาปัตยกรรม 6F² ทั่วไปของ DRAM แบบดั้งเดิม F หมายถึงความกว้างเส้นขั้นต่ำของกระบวนการผลิต ในขณะที่การออกแบบ 4F² ในทางทฤษฎีสามารถบรรจุจำนวนบิตต่อหน่วยพื้นที่ได้มากกว่าประมาณหนึ่งในสาม ซึ่งช่วยลดต้นทุนต่อหน่วย และเหมาะสำหรับโมดูลหน่วยความจำความจุสูงที่จำเป็นสำหรับเซิร์ฟเวอร์ AI เฉา คานหยูกล่าวว่า การออกแบบนี้ใช้ทรานซิสเตอร์เกตแนวตั้งรอบทิศทางที่เป็นกรรมสิทธิ์เพื่อยับยั้งการรั่วไหลของกระแสไฟฟ้า โดยมุ่งเป้าไปที่ตลาด DRAM เซิร์ฟเวอร์ AI ที่มีอัตรากำไรสูงโดยตรง

ข่าวนี้ทำให้ความกังวลของตลาดเกี่ยวกับผู้ผลิตจีนที่เร่งเจาะตลาดชิปหน่วยความจำระดับไฮเอนด์เพิ่มขึ้นอย่างรวดเร็ว และกลายเป็นชนวนโดยตรงที่ทำให้หุ้นชิปร่วงลงพร้อมกันในวันจันทร์ หุ้นเทคโนโลยีกลายเป็นกลุ่มที่แย่ที่สุดในตลาดหุ้นสหรัฐวันจันทร์ โดยหุ้นที่เกี่ยวข้องกับชิปหน่วยความจำได้รับผลกระทบหนักที่สุด ไมครอนร่วงลงต่ำกว่าระดับ 1,000 ดอลลาร์ และปิดตลาดลดลงประมาณ 4% แซนดิสก์ปิดตลาดลดลงเกือบ 6% ADR ของ SK Hynix และซูเปอร์ไมโครคอมพิวเตอร์ต่างลดลงมากกว่า 4% ซีเกทเทคโนโลยีลดลงมากกว่า 3% ควอนตัมลดลงมากกว่า 9% และคอร์นิงก็ร่วงลงอย่างหนักเช่นกัน

ตรรกะการเทขายของตลาดชัดเจน: หากผู้ผลิตจีนสามารถเข้าสู่ตลาดชิปหน่วยความจำระดับไฮเอนด์ที่เคยถูกครอบงำโดยบริษัทสหรัฐและเกาหลีใต้ด้วยต้นทุนที่ต่ำกว่าและขนาดที่ใหญ่กว่า อัตรากำไรของบริษัทที่เกี่ยวข้องจะถูกบีบอัดอย่างมีนัยสำคัญ การแสดงความเห็นต่อสาธารณะของมัสก์ยิ่งตอกย้ำความคาดหวังของนักลงทุนต่อการเปลี่ยนแปลงของภูมิทัศน์การแข่งขันนี้

นักวิเคราะห์เมลวิน: ตลาดเทขายเกินเหตุ

เมลวิน นักวิเคราะห์ AI โพสต์แสดงความเห็นต่อการร่วงลงอย่างฉับพลันของหุ้นหน่วยความจำว่า เขาไม่เข้าใจตรรกะการเทขายนี้เลย และมองว่าตลาดตัดสินปัจจัยพื้นฐานของอุตสาหกรรมผิดพลาด

เมลวินยอมรับว่าฉางซินสตอเรจกลายเป็นคู่แข่งที่ไม่อาจมองข้ามได้ในตลาดโลก เขาอ้างข้อมูลจาก TrendForce ระบุว่า ส่วนแบ่งรายได้ DRAM ของฉางซินสตอเรจคิดเป็น 9.5% ของโลก อยู่ในอันดับที่สี่ของโลก นอกจากนี้ โรงงานใหม่ของบริษัทในเซี่ยงไฮ้และเหอเฟยตั้งเป้ากำลังการผลิตมากกว่า 600,000 แผ่นต่อเดือน และมีความสามารถในการผลิตจำนวนมากสำหรับแพลตฟอร์ม G5 และ LPDDR6 แล้ว

อย่างไรก็ตาม เมลวินมองว่าตลาดตอบสนองเร็วเกินไป:

การไต่ระดับอัตราผลผลิตยังต้องพิสูจน์: การประกาศสถาปัตยกรรมทางเทคนิคกับการไต่ระดับอัตราผลผลิตจำนวนมากเป็นคนละเรื่องกัน ฉางซินยังต้องพิสูจน์ความสามารถในการแข่งขันโดยรวมด้านราคา ความน่าเชื่อถือ และปริมาณการผลิต

ตลาดเป้าหมายต่างกัน: การขาดแคลนหน่วยความจำที่ขับเคลื่อนโดยกระแส AI ยังคงดำเนินอยู่ ฉางซินมุ่งเป้าไปที่ DDR5 สำหรับเซิร์ฟเวอร์ทั่วไป ไม่ใช่หน่วยความจำแบนด์วิดท์สูง (HBM) ระดับไฮเอนด์ที่หายากสำหรับการ์ดประมวลผล AI

ตรรกะขาดการสนับสนุน: ธุรกิจหลักของแซนดิสก์เน้นหน่วยความจำแบบไม่ลบเลือน (NAND) เช่น SSD การใช้ข่าวหน่วยความจำแบบลบเลือน (DRAM) มาเทขายหุ้นแซนดิสก์ขาดตรรกะรองรับ เขาเน้นว่า ปัจจัยพื้นฐานของอุตสาหกรรมในระยะสั้นไม่ได้เปลี่ยนแปลง และยังคงมีมุมมองเชิงบวกต่อความต้องการหน่วยความจำ

มัสก์: ความสามารถในการผลิตขนาดใหญ่ของจีนเป็นข้อได้เปรียบเชิงระบบ

หลังจากเมลวินเผยแพร่การวิเคราะห์ปัจจัยพื้นฐาน มัสก์ตอบกลับด้วยข้อความยาวบนแพลตฟอร์มโซเชียล X โดยยกระดับการอภิปรายจากปัจจัยพื้นฐานด้านอุปสงค์และอุปทานระยะสั้นไปสู่ตรรกะการผลิตมหภาคระยะกลางถึงยาว

ในโพสต์ มัสก์ระบุว่าความสามารถในการผลิตขนาดใหญ่ของจีนเป็นข้อได้เปรียบเชิงระบบ ไม่ใช่ปรากฏการณ์เฉพาะราย เขาเขียนว่า: "เมื่อจีนเข้าใจวิธีการผลิตสินค้าชนิดใดชนิดหนึ่ง ความสามารถในการผลิตขนาดใหญ่ของจีนมักจะเกินกว่าผลรวมของส่วนอื่นๆ ในโลก เราได้เห็นสิ่งนี้แล้วในแบตเตอรี่ลิเธียมและพลังงานแสงอาทิตย์"

เขายก SpaceX เป็นตัวอย่างเปรียบเทียบ โดยชี้ว่า SpaceX เป็นหนึ่งในข้อยกเว้นไม่กี่ราย โดยมวลที่ส่งขึ้นสู่วงโคจรสูงกว่าจรวดอื่นๆ ทั้งหมดในโลกรวมกันประมาณหนึ่งอันดับขนาด แต่เขาเสริมทันทีว่า แม้จะเป็นเช่นนั้น จีนก็ครองส่วนแบ่งส่วนใหญ่ของมวลที่ส่งขึ้นสู่วงโคจรที่ไม่ใช่ SpaceX แล้ว "SpaceX เป็นค่าผิดปกติในเมทริกซ์"

ในด้านชิปหน่วยความจำ การตัดสินของมัสก์ตรงไปตรงมามากกว่า เขากล่าวว่า RAM เมื่อสามปีก่อนยังเป็นเพียงสินค้าโภคภัณฑ์ที่มีกำไรต่ำ ในขณะที่ LP5 และ LP6 ใช้การออกแบบมาตรฐานทั่วไป "จีนดูเหมือนกำลังแก้ไขได้อย่างรวดเร็ว" เขายังชี้ว่า สถาปัตยกรรม HBM รุ่นใหม่กว่า ชั้น SRAM ใต้ชั้นลอจิก และการซ้อน RAM แบบ 3 มิติเหนือชั้นลอจิกพร้อมกับการแก้ปัญหาการระบายความร้อน จะเป็นความท้าทายทางเทคนิคที่ยากกว่า