Samsung y SK Hynix mejoran sus plantas en China para producir chips más avanzados

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Según fuentes conocedoras citadas por Reuters, los dos gigantes coreanos de chips de memoria están aumentando la inversión en sus instalaciones de producción en China, impulsando la actualización de las especificaciones técnicas a un nivel superior. Samsung tiene como objetivo la capacidad de producción en masa de chips apilados de 286 capas, y SK Hynix también está avanzando en una actualización similar.

Mientras tanto, el fabricante chino de chips Yangtze Memory Technologies Co. (YMTC) sigue logrando avances técnicos, lo que intensifica aún más la competencia en este sector.

 

Samsung apunta a chips de 286 capas y SK Hynix sigue sus pasos

Según fuentes conocedoras, Samsung está impulsando la actualización tecnológica de sus plantas en China para lograr la producción de chips de memoria flash NAND de 286 capas. Este número de capas representa el nivel más avanzado de la tecnología de almacenamiento NAND actual; si se implementa en las plantas chinas, marcará un salto tecnológico significativo en la capacidad de producción de Samsung en China.

Samsung cuenta con importantes bases de producción de chips de memoria en China. Si este plan de actualización avanza sin contratiempos, sus plantas chinas dejarán de limitarse a procesos maduros y se acercarán a líneas de productos avanzados más competitivas.

SK Hynix también estaría actualizando sus instalaciones de producción en China. Según fuentes conocedoras, la dirección de la actualización es similar a la de Samsung, con el objetivo de elevar las especificaciones técnicas de los chips en sus plantas chinas.

SK Hynix tiene una fábrica de chips DRAM en Wuxi, China, y posee parte de los activos de la antigua fábrica NAND de Intel en Dalian.

Al mismo tiempo, el fabricante chino de chips de memoria YMTC también está logrando nuevos avances técnicos. Según Reuters, el ritmo de YMTC para alcanzar a sus competidores no se ha ralentizado significativamente por las presiones externas, y sus avances intensificarán aún más la competencia en el mercado mundial de NAND.

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