報導：三星2月開始向英偉達供貨HBM4

三星電子計劃下月啟動下一代高帶寬內存芯片HBM4的生產,並向英偉達供貨,這標誌著三星電子在先進存儲芯片領域取得關鍵突破,有望縮小與競爭對手SK海力士的差距。

週一,據路透援引知情人士消息,

消息公佈後,三星股價週一早盤上漲2.2%,而競爭對手SK海力士股價下跌2.9%。 兩家公司均將於本週四公佈第四季度財報,屆時預計將披露HBM4訂單的更多細節。

英偉達首席執行官黃仁勳本月早些時候表示,該公司下一代芯片Vera Rubin平台已進入“全面生產”階段,這些芯片將搭配HBM4芯片,計劃於今年晚些時候推出。

三星追趕SK海力士的關鍵一步

據韓國《經濟日報》週一報導,知情人士拒絕透露三星計劃向英偉達供應的具體芯片數量。

SK海力士作為英偉達AI加速器所需先進存儲芯片的主要供應商,一直在該領域保持領先地位。 該公司去年10月表示已完成明年與主要客戶的HBM供應談判。

SK海力士一位高管本月早些時候告訴路透,公司計劃下月開始在韓國清州的新工廠M15X投入矽晶圓生產HBM芯片,但未詳細說明HBM4是否將成為初期生產的一部分。