SK Hynix ระบุว่าการพัฒนา 3D DRAM สามารถใช้กระบวนการ foundry ได้

SK Hynix ระบุเมื่อวันที่ 9 ว่าการพัฒนาหน่วยความจำรุ่นถัดไปอย่าง 3D DRAM semiconductor สามารถใช้กระบวนการ foundry ได้ วันก่อนหน้านั้น ในงาน 2026 SK Hynix Future Forum ที่จัดขึ้นที่ Supex Center ในวิทยาเขต Icheon รองประธาน Kim Kyung-hoon และ Son Ho-young ได้นำเสนอทิศทางทางเทคนิคหลักสำหรับ 3D DRAM รวมถึงการใช้กระบวนการ logic foundry สำหรับวงจรรอบข้างของ DRAM การเพิ่มแบนด์วิดท์ของ data bus ให้สูงสุด และการส่งข้อมูลระยะทางสั้นพิเศษ 3D DRAM คือ DRAM รุ่นถัดไปที่ซ้อนเซลล์จัดเก็บข้อมูลซึ่งเดิมเป็นแบบระนาบในแนวตั้งเพื่อเพิ่มความหนาแน่นของการรวมวงจร ทั้งสองกล่าวว่าการบรรลุเทคโนโลยีนี้จำเป็นต้องจัดการไม่เพียงแต่ปัญหาการออกแบบและการระบายความร้อน แต่ยังรวมถึงความท้าทายในการเชื่อมต่อแบบละเอียด การเชื่อมต่อ (bonding) และการบูรณาการกระบวนการในด้านการบรรจุภัณฑ์ (packaging) เมื่อขอบเขตระหว่างการบรรจุภัณฑ์ขั้นต้นและขั้นปลาย (front-end และ back-end) foundry และเทคโนโลยีหน่วยความจำมาบรรจบกัน การปรับให้เหมาะสมร่วมกันนอกเหนือจากสาขาที่มีอยู่จะมีความสำคัญมากขึ้น Son Ho-young กล่าวว่าเทคโนโลยี 3D กำลังเปลี่ยนขอบเขตทางเทคโนโลยีระหว่าง wafer fab และการบรรจุภัณฑ์ และจำเป็นต้องสร้างระบบการปรับให้เหมาะสมและความร่วมมือใหม่ที่เหนือกว่าสาขาที่มีอยู่ พร้อมกับนวัตกรรมในเทคโนโลยีการบรรจุภัณฑ์ขั้นสูง ในการนำเสนอที่เกี่ยวข้อง ศาสตราจารย์ Shin Chang-hwan จากมหาวิทยาลัย Korea กล่าวว่า 3D DRAM ไม่ได้เป็นเพียงการซ้อนชิปในแนวตั้งเท่านั้น แต่ยังเป็นเทคโนโลยีที่ทำลายขอบเขตระหว่างหน่วยความจำและ logic เมื่อการย่อขนาดอุปกรณ์เข้าใกล้ขีดจำกัด และเวลาและพลังงานที่เกี่ยวข้องกับการเคลื่อนย้ายข้อมูลระหว่างระบบและหน่วยความจำเพิ่มขึ้น การเปลี่ยนไปใช้เทคโนโลยี 3D จึงเป็นสิ่งที่หลีกเลี่ยงไม่ได้ เขาเสนอกรอบการออกแบบแบบบูรณาการ 3D ที่เชื่อมโยงวัสดุ อุปกรณ์ การบรรจุภัณฑ์ และสถาปัตยกรรมผ่านปัญญาประดิษฐ์ ประธาน SK Hynix Kwon Oh-joon กล่าวในสุนทรพจน์ของเขาว่า ตลาดหน่วยความจำในอดีตเปรียบเสมือนถนนเส้นตรงที่การแข่งขันคือใครจะวิ่งได้เร็วกว่า แต่ตอนนี้มันเปรียบเสมือนเส้นโค้งที่เปลี่ยนแปลงตลอดเวลา ทำให้การเข้าใจความเร็วและทิศทางของการเปลี่ยนแปลงสภาพแวดล้อมภายนอกและการปรับตัวอย่างยืดหยุ่นนอกเหนือจากความสามารถภายในเป็นสิ่งสำคัญ