クイーンズランド大学とNYUの共同研究チーム、ゲルマニウム超伝導体技術を開発
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クイーンズランド大学とニューヨーク大学(NYU)の共同研究チームが、画期的なゲルマニウムベースの超伝導体技術を開発しました。この技術は、分子線エピタキシー(MBE)法を用いて作成され、従来の超伝導材料よりも低温での動作が可能で、量子コンピューーティングや医療画像診断装置などへの応用が期待されています。
革新的な超伝導材料の発見
研究チームは、ガリウムを高濃度にドープしたゲルマニウム材料を使用し、3.5K(-269℃)という極低温環境下で超伝導現象を確認しました。この発見は、Nature Nanotechnology誌に掲載され、材料科学分野で大きな注目を集めています。
MBE法による精密制御
分子線エピタキシー(MBE)技術を用いることで、原子レベルでの材料構造制御に成功。研究を主導したPeter JacobSon教授は、「この技術により、従来に比べてはるかに安定した超伝導特性を実現できた」と語っています。
量子コンピューーティングへの応用可能性
この新材料は、量子ビット(qubit)やSQUID(超伝導量子干渉計)などの次世代デバイスへの応用が期待されています。特に、TSMCが開発を進める3nm/2nmプロセス技術との統合可能性も注目されています。
今後の展望と課題
研究チームは、現在の3.5Kという動作温度をさらに向上させ、実用化に向けた開発を進めるとしています。また、AI技術との融合による新たな応用分野の開拓も視野に入れています。
出典：
