中科院AI芯片新路徑登Science！ 鐵電材料新結構突破存儲密度極限
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ç®åæ¥è¯´,è¿ äºé«è½ç´å£å¹¶éç¬èªå¯¹æéçµæ¥å,èæ¯éè¿ å¨å±é¨å¼å ¥é«æµåº¦çç¹ç¼ºé·ä½ä¸ºâçµè·è¶æ°´âæ¥ç»´æç»æå¹³è¡ ¡ ã
å ·ä½èè¨,å¨å¸¦æ£çµçâ头对头âæå交çå¤,æ¶æ ¼å®¹çº³äºå¤§éè¿ éçé´é氧离å(Interstitial Oxygen)ã
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åä¹,å¨å¸¦è´çµçâ尾对尾â交çå¤,æ¶æ ¼åè¡ ¨ç°ä¸ºæ°§ç©ºä½(Oxygen Vacancies)çèéã
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è¿ ç§ååå±é¢çâå¤éå°è¡ ¥âæºå¶æå ¶ç²¾å,å¨ä» ä» å 个åç±³çèå´å ,氧离åçå æ®çåçäºå§çççªåã
æ£æ¯è¿ ç§é«æµåº¦ç缺é·èé,ä¸ä» å±è½äºæå产ççæç¼çµè·,使 ä¸ç»´ç»æå¾ä»¥ç¨³å®åå¨,åæ¶ä¹è§£éäºä¸ºä½è¯¥ææè½æ为ä¼å¼ç离å导ä½ââ
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