SK hynix invierte 38.000 millones de dólares en nuevas fábricas para satisfacer la demanda de memoria para IA

SK hynix, el gigante surcoreano de semiconductores, ha anunciado una inversión histórica de 38.000 millones de dólares en nuevas instalaciones de producción para impulsar su capacidad de memoria de alto ancho de banda (HBM), un componente crítico en el actual auge de la inteligencia artificial. Este movimiento estratégico, dado a conocer hoy, refuerza el dominio de la compañía en el sector, tras registrar ingresos récord de 79,3 billones de wones en el segundo trimestre y un beneficio neto de 60,5 billones. La firma ya ha comenzado las entregas a gran escala de sus chips HBM4, posicionándose como líder indiscutible en el suministro de memoria para aceleradores de IA. Los analistas destacan que esta expansión es vital para fabricantes de chips como NVIDIA y proveedores de servicios en la nube, que dependen de la integración avanzada de múltiples pilas HBM mediante tecnologías de empaquetado como CoWoS de TSMC. La inversión llega en un momento crítico, cuando la demanda de infraestructura para IA supera la oferta, y subraya la apuesta a largo plazo de SK hynix por satisfacer las necesidades de los centros de datos de próxima generación.

¿Adónde van los 54 billones de wones?

SK hynix anunció que destinará 35,2 billones de wones a la construcción de su fábrica de DRAM Y2 en Yongin. Asimismo, invertirá 19,1 billones de wones en la construcción de la fábrica de memoria flash NAND M17 en su campus de Cheongju. Se estima que la inversión total ascenderá a unos 38.000 millones de dólares.

Estos proyectos son un componente integral de los planes de desarrollo más ambiciosos de SK hynix. La compañía ya ha comprometido 600 billones de wones para el clúster de semiconductores de Yongin y otros 100 billones de wones para expandir Cheongju, mientras que la construcción de la fábrica Y1, ubicada en las inmediaciones, ya está en marcha.

La empresa está tomando medidas para fortalecer su posición en el mercado de memorias para IA. SK hynix obtuvo el 58% de los ingresos globales de HBM en el primer trimestre de 2026, según el informe Memory Tracde Counterpoint Research, seguido por Samsung (21%) y Micron (21%).

La memoria HBM es actualmente uno de los materiales más escasos en la industria de la IA. A diferencia de los materiales DRAM convencionales, utiliza tecnología de apilamiento, tecnología de interconexión a través del silicio (TSV) y una compleja tecnología de encapsulado, lo que dificulta enormemente su fabricación.

Según las proyecciones de Omdia, la industria de los semiconductores experimentará un crecimiento del 94,1% en el año 2026, impulsado por la demanda de memorias NAND y DRAM relacionada con la inteligencia artificial.

La escasez de suministro ya ha comenzado a afectar los planes de desarrollo de productos. Por ejemplo, Nvidia está considerando ahora 8-Hi HBM y HBM4 para su próximo acelerador Rubin Ultra en lugar de la 12-Hi HBM4e prevista inicialmente, debido a la preocupación de que la menor disponibilidad de DRAM en 2027 pueda obstaculizar la producción de módulos HBM.

Esta dinámica implica que los proveedores de memoria controlan cada vez más la rapidez con la que el hardware de IA puede entrar en el mercado. Un aumento en la capacidad de memoria conlleva un incremento en los envíos de aceleradores, mientras que una escasez de memoria obliga a los fabricantes a modificar el diseño de sus productos para adaptarlo a la cantidad de memoria disponible.

Qué construirán las plantas y cuándo

Los analistas prevén que la escasez de suministro continúe, ya que pasarán varios años antes de que las nuevas fábricas estén operativas.

Según SK hynix, se espera que la fábrica Y2 produzca tanto memorias HBM como memorias DRAM de próxima generación. La construcción comenzará en julio de 2027 y se prevé que la sala limpia esté lista en junio de 2029. La colocación de la primera piedra de la fábrica M17 tendrá lugar en febrero de 2027 y su sala limpia estará lista en diciembre de 2028.

Según SK hynix, esta inversión sienta las bases para una transición que se prevé que lleve tiempo, en lugar de ser una simple tendencia pasajera en el campo de la IA. La empresa indica que, según las previsiones de Omdia, se espera un crecimiento anual compuesto del 19 % en la demanda global de DRAM y NAND hasta 2030, lo que confirma la convicción de SK hynix sobre la importancia de la fabricación de memorias de gran consumo para ser competitivo en la era de la inteligencia artificial.

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